YangJie

Популярные
KBJ1008 YangJie pe936725 фото
47 р
KBJ1008 YangJie
pe936725
по 108 шт
BAT42W Корпус SOD123, Диод одиночный, Uобр.макс. 30 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 650 мВ, Iобр. 500 нА, Монтаж на плату, SMT YangJie pe934906 фото
0 р
BAT42W Корпус SOD123, Диод одиночный, Uобр.макс. 30 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 650 мВ, Iобр. 500 нА, Монтаж на плату, SMT YangJie
pe934906
YJQ35N04A Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, 40В, 23А, Idm 120А YangJie pe936728 фото
0 р
YJQ35N04A Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, 40В, 23А, Idm 120А YangJie
pe936728
MBR30100CT Корпус TO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 30 А, Uпрям. 800 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 600пФ, Рабочая температура -55 °C...+1 pe936628 фото
0 р
MBR30100CT Корпус TO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 30 А, Uпрям. 800 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 600пФ, Рабочая температура -55 °C...+1
pe936628
BZT52B39S YangJie pe935965 фото
0 р
BZT52B39S YangJie
pe935965
SKBPC5010 Трехфазный диодный мост, Urmax 1кВ, If 50А, Ifsm 500А, SKBPC, THT YangJie pe936733 фото
190 р
SKBPC5010 Трехфазный диодный мост, Urmax 1кВ, If 50А, Ifsm 500А, SKBPC, THT YangJie
pe936733
по 27 шт
В корзину
BZT52C16 YangJie pe936224 фото
2 р
BZT52C16 YangJie
pe936224
по 4386 шт
В корзину
SS14AQ Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 450 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 200 мкА, Емкость перехода 100пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT YangJ pe935170 фото
0 р
SS14AQ Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 450 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 200 мкА, Емкость перехода 100пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT YangJ
pe935170
GBJ3510 Диодный мост 35А 1000В YangJie pe936738 фото
53 р
GBJ3510 Диодный мост 35А 1000В YangJie
pe936738
по 96 шт
В корзину
BZT52C5V6Q YangJie pe935971 фото
0 р
BZT52C5V6Q YangJie
pe935971
SMAJ33CAQ YangJie pe935717 фото
7 р
SMAJ33CAQ YangJie
pe935717
по 756 шт
В корзину
MMBT5401Q Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Uкэ.макс. -160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.5 В, Ток коллектора -0.6 А, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усилени pe935436 фото
0 р
MMBT5401Q Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Uкэ.макс. -160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.5 В, Ток коллектора -0.6 А, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усилени
pe935436
MMSD4148 YangJie pe936232 фото
1 р
MMSD4148 YangJie
pe936232
по 8621 шт
В корзину
MD200S16M3 YangJie pe936745 фото
3 335 р
MD200S16M3 YangJie
pe936745
по 2 шт
В корзину
SMBJ70CAQ Iимп.макс. 5.3 А, Uраб. 70 В, Uогр.(диап.), min 77.8 В, Uогр.(диап.), max 86 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 81.9 В, Uимп.макс.113 В, Р=5 Вт pe935181 фото
16 р
SMBJ70CAQ Iимп.макс. 5.3 А, Uраб. 70 В, Uогр.(диап.), min 77.8 В, Uогр.(диап.), max 86 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 81.9 В, Uимп.макс.113 В, Р=5 Вт
pe935181
по 329 шт
В корзину
BZT52B15Q Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie pe934930 фото
0 р
BZT52B15Q Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie
pe934930
SMA4749A Корпус DO214AC, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 10.5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 1W YangJie pe935186 фото
0 р
SMA4749A Корпус DO214AC, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 10.5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 1W YangJie
pe935186
BZT52C18 YangJie pe936234 фото
2 р
BZT52C18 YangJie
pe936234
по 2778 шт
В корзину
SMBJ78AQ YangJie pe935723 фото
9 р
SMBJ78AQ YangJie
pe935723
по 622 шт
В корзину
BZT52B9V1 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.98%, 0.5W, Silicon, Unidirectional Yang pe934936 фото
0 р
BZT52B9V1 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.98%, 0.5W, Silicon, Unidirectional Yang
pe934936
Наш сайт использует cookies