YangJie

Популярные
SMAJ16CAQ Iимп.макс. 15.4 А, Uраб. 16 В, Uогр.(диап.), min 17.8 В, Uогр.(диап.), max 19.7 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 18.75 В, Uимп.макс.26 В, Р=1 pe935113 фото
8 р
SMAJ16CAQ Iимп.макс. 15.4 А, Uраб. 16 В, Uогр.(диап.), min 17.8 В, Uогр.(диап.), max 19.7 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 18.75 В, Uимп.макс.26 В, Р=1
pe935113
по 690 шт
В корзину
GBL408 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie pe935370 фото
37 р
GBL408 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie
pe935370
по 139 шт
GBJ1506A Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJi pe935371 фото
45 р
GBJ1506A Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJi
pe935371
по 113 шт
В корзину
BAS16WSQ Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 6 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура pe935379 фото
0 р
BAS16WSQ Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 6 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура
pe935379
SMF16AQ Iимп.макс. 7.69 А, Uраб. 16 В, Uогр.(диап.), min 17.8 В, Uогр.(диап.), max 19.7 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 18.75 В, Uимп.макс.26 В, Р=40 pe935688 фото
0 р
SMF16AQ Iимп.макс. 7.69 А, Uраб. 16 В, Uогр.(диап.), min 17.8 В, Uогр.(диап.), max 19.7 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 18.75 В, Uимп.макс.26 В, Р=40
pe935688
DB106 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 1 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1A, 800V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie pe936713 фото
10 р
DB106 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 1 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1A, 800V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie
pe936713
по 521 шт
В корзину
RYBSM6010 YangJie pe936046 фото
35 р
RYBSM6010 YangJie
pe936046
по 147 шт
В корзину
MT330CB18T3 Модуль тиристорный 1800В 330A YangJie pe935791 фото
0 р
MT330CB18T3 Модуль тиристорный 1800В 330A YangJie
pe935791
2N7002KCQ Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз мак pe936220 фото
0 р
2N7002KCQ Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз мак
pe936220
BZT52B16 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 16 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 16V V(Z), 1.94%, 0.5W, Silicon, Unidirectional YangJie pe936221 фото
2 р
BZT52B16 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 16 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 16V V(Z), 1.94%, 0.5W, Silicon, Unidirectional YangJie
pe936221
по 3817 шт
В корзину
MT280C22T3W YangJie pe935793 фото
6 514 р
MT280C22T3W YangJie
pe935793
В корзину
MT460CB22DT6 YangJie pe935794 фото
13 193 р
MT460CB22DT6 YangJie
pe935794
В корзину
BZT52C13Q Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie pe935966 фото
0 р
BZT52C13Q Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie
pe935966
BZT52C56 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 56 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 200 Ом YangJie pe936223 фото
0 р
BZT52C56 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 56 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 200 Ом YangJie
pe936223
KBJ608 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 6 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie pe936735 фото
28 р
KBJ608 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 6 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie
pe936735
по 184 шт
В корзину
YJD106540NCTQG2 YangJie pe935799 фото
0 р
YJD106540NCTQG2 YangJie
pe935799
GBL406 YangJie pe936055 фото
25 р
GBL406 YangJie
pe936055
по 207 шт
GBL208 YangJie pe936056 фото
24 р
GBL208 YangJie
pe936056
по 210 шт
В корзину
YJD20N06A Транзистор N-MOSFET 60В 20А 17Вт [TO-252.] YangJie pe936569 фото
12 р
YJD20N06A Транзистор N-MOSFET 60В 20А 17Вт [TO-252.] YangJie
pe936569
по 430 шт
В корзину
SMCJ30CAQ Iимп.макс. 31 А, Uраб. 30 В, Uогр.(диап.), min 33.3 В, Uогр.(диап.), max 36.8 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=1.5 кВт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 35.05 В, Uимп.макс.48.4 В, Р= pe935725 фото
25 р
SMCJ30CAQ Iимп.макс. 31 А, Uраб. 30 В, Uогр.(диап.), min 33.3 В, Uогр.(диап.), max 36.8 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=1.5 кВт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 35.05 В, Uимп.макс.48.4 В, Р=
pe935725
по 201 шт
В корзину
Наш сайт использует cookies