YangJie

Популярные
MBR20100CD Корпус TO252, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 830 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 600пФ, Рабочая температура -55 °C...+175 pe542151 фото
21 р
MBR20100CD Корпус TO252, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 830 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 600пФ, Рабочая температура -55 °C...+175
pe542151
по 248 шт
В корзину
BZT52C4V7SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie pe935287 фото
0 р
BZT52C4V7SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie
pe935287
SS36A Диод Шоттки 60В 3А YangJie pe568596 фото
3 р
SS36A Диод Шоттки 60В 3А YangJie
pe568596
по 1701 шт
В корзину
YJJ09N03A Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 9 А, Rот.(мин) 9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 9 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. pe685271 фото
0 р
YJJ09N03A Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 9 А, Rот.(мин) 9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 9 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс.
pe685271
SMBJ26A Корпус DO214AA, Iимп.макс. 14.25 А, Uраб. 26 В, Uогр.(диап.), min 28.9 В, Uогр.(диап.), max 31.9 В, 26V V(RWM), Unidirectional, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однонаправленн pe844414 фото
7 р
SMBJ26A Корпус DO214AA, Iимп.макс. 14.25 А, Uраб. 26 В, Uогр.(диап.), min 28.9 В, Uогр.(диап.), max 31.9 В, 26V V(RWM), Unidirectional, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однонаправленн
pe844414
по 788 шт
В корзину
BZX84C3V6 Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 3.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.6V V(Z), 5.56%, 0.35W, Silic pe854307 фото
1 р
BZX84C3V6 Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 3.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.6V V(Z), 5.56%, 0.35W, Silic
pe854307
по 5000 шт
В корзину
BZT52C3V3 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 6.06%, 0.5W, Silic pe934927 фото
2 р
BZT52C3V3 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 6.06%, 0.5W, Silic
pe934927
по 4348 шт
В корзину
RB751S-40 Диод Шоттки 30В 30мА [SOD-523.] YangJie pe541978 фото
1 р
RB751S-40 Диод Шоттки 30В 30мА [SOD-523.] YangJie
pe541978
по 5209 шт
В корзину
5.0SMDJ64A Корпус DO214AB, Iимп.макс. 48.5 А, Uраб. 64 В, Uогр.(диап.), min 71.1 В, Uогр.(диап.), max 78.6 В, Iут.при Uраб. 5 мкА, Рпик=5 кВт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 74.85 В, Uи pe935752 фото
32 р
5.0SMDJ64A Корпус DO214AB, Iимп.макс. 48.5 А, Uраб. 64 В, Uогр.(диап.), min 71.1 В, Uогр.(диап.), max 78.6 В, Iут.при Uраб. 5 мкА, Рпик=5 кВт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 74.85 В, Uи
pe935752
по 157 шт
В корзину
BZT52C15 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 15V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Un pe936245 фото
1 р
BZT52C15 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 15V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Un
pe936245
по 5883 шт
В корзину
MMBTA06Q Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 250 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 100 МГ pe936114 фото
0 р
MMBTA06Q Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 250 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 100 МГ
pe936114
BC856S Корпус SOT363, Транзистор биполярный PNP+PNP, Р=200 мВт, Напряжение КЭ максимальное -65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.3 В, Ток коллектора -0.01 А, Граничная рабочая частота 1 pe541879 фото
0 р
BC856S Корпус SOT363, Транзистор биполярный PNP+PNP, Р=200 мВт, Напряжение КЭ максимальное -65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.3 В, Ток коллектора -0.01 А, Граничная рабочая частота 1
pe541879
BZT52C24S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 70 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 5.79%, 0.2W, Silicon pe541904 фото
2 р
BZT52C24S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 70 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 5.79%, 0.2W, Silicon
pe541904
по 3268 шт
В корзину
RB521S-40 Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 590 мВ, Iобр. 5 мкА, Монтаж на плату, SMT YangJie pe542066 фото
1 р
RB521S-40 Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 590 мВ, Iобр. 5 мкА, Монтаж на плату, SMT YangJie
pe542066
по 6494 шт
В корзину
BZX84B5V6 Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 5.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 40 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 5.6V V(Z), 1.96%, 0.35W, Silic pe542140 фото
1 р
BZX84B5V6 Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 5.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 40 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 5.6V V(Z), 1.96%, 0.35W, Silic
pe542140
по 5682 шт
В корзину
ESD5V0D5BS Корпус SOD523, Iимп.макс. 8 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 5.3 В, Iут.при Uраб. 0.1 мкА, Рпик=96 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 6 В, Паразитная емкость перехода 10пФ, Uим pe935724 фото
5 р
ESD5V0D5BS Корпус SOD523, Iимп.макс. 8 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 5.3 В, Iут.при Uраб. 0.1 мкА, Рпик=96 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 6 В, Паразитная емкость перехода 10пФ, Uим
pe935724
по 1169 шт
В корзину
BAT54WSQ Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 30 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1 В, Особенности Schottky, Iобр. 2 мкА, Время восстановления Диодов 5 нс, Емкость перехода 10пФ, Рабочая температ pe935215 фото
0 р
BAT54WSQ Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 30 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1 В, Особенности Schottky, Iобр. 2 мкА, Время восстановления Диодов 5 нс, Емкость перехода 10пФ, Рабочая температ
pe935215
BZT52B6V8SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 6.8 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом YangJie pe935990 фото
0 р
BZT52B6V8SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 6.8 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом YangJie
pe935990
BZT52C15SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie pe936131 фото
0 р
BZT52C15SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie
pe936131
1SS400 Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 90 В, Iпрям. (сред.) 100 мА, Uпрям. 1.2 В, импульсный, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 3пФ, Рабочая температура -65 °C pe1039395 фото
0 р
1SS400 Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 90 В, Iпрям. (сред.) 100 мА, Uпрям. 1.2 В, импульсный, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 3пФ, Рабочая температура -65 °C
pe1039395
Наш сайт использует cookies