YangJie

Популярные
MBR30200FCT Корпус ITO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 30 А, Uпрям. 900 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 600пФ, Рабочая температура -55 °C... pe935202 фото
0 р
MBR30200FCT Корпус ITO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 30 А, Uпрям. 900 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 600пФ, Рабочая температура -55 °C...
pe935202
BZT52C75S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 75 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 255 Ом YangJie pe935295 фото
1 р
BZT52C75S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 75 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 255 Ом YangJie
pe935295
по 5953 шт
В корзину
BZX584C43V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 43 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 150 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 43V V(Z), 6.98%, 0.2W, Silic pe935305 фото
0 р
BZX584C43V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 43 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 150 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 43V V(Z), 6.98%, 0.2W, Silic
pe935305
BZX584B33V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie pe935306 фото
0 р
BZX584B33V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie
pe935306
SMF16A Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 7.69 А, Uраб. 16 В, Uогр.(диап.), min 17.8 В, Uогр.(диап.), max 19.7 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 18.75 В, Uимп pe935084 фото
3 р
SMF16A Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 7.69 А, Uраб. 16 В, Uогр.(диап.), min 17.8 В, Uогр.(диап.), max 19.7 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 18.75 В, Uимп
pe935084
по 2000 шт
ESD5V0D5B Корпус SOD523, Iимп.макс. 8 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 5.8 В, Uогр.(диап.), max 8.7 В, 5V V(RWM), Iут.при Uраб. 1 мкА, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 7.25 В, Паразитная ем pe934885 фото
2 р
ESD5V0D5B Корпус SOD523, Iимп.макс. 8 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 5.8 В, Uогр.(диап.), max 8.7 В, 5V V(RWM), Iут.при Uраб. 1 мкА, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 7.25 В, Паразитная ем
pe934885
по 2618 шт
MBRL20100CT Корпус TO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 720 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, pe934901 фото
0 р
MBRL20100CT Корпус TO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 720 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату,
pe934901
P6SMB6.8A Корпус DO214AA, Iимп.макс. 57.14 А, Uраб. 5.8 В, Uогр.(диап.), min 6.46 В, Uогр.(диап.), max 7.14 В, 600W, 5.8V V(RWM), DO-214AA, Iут.при Uраб. 1000 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однона pe936320 фото
4 р
P6SMB6.8A Корпус DO214AA, Iимп.макс. 57.14 А, Uраб. 5.8 В, Uогр.(диап.), min 6.46 В, Uогр.(диап.), max 7.14 В, 600W, 5.8V V(RWM), DO-214AA, Iут.при Uраб. 1000 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однона
pe936320
по 1583 шт
В корзину
SM4F14CA Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 17.24 А, Uраб. 14 В, Uогр.(диап.), min 15.6 В, Uогр.(диап.), max 17.2 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 16.4 В, Uим pe1010838 фото
0 р
SM4F14CA Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 17.24 А, Uраб. 14 В, Uогр.(диап.), min 15.6 В, Uогр.(диап.), max 17.2 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 16.4 В, Uим
pe1010838
BZX584C2V4 Стабилитрон 0.2Вт 2.4В Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 2.4 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.4V pe541922 фото
2 р
BZX584C2V4 Стабилитрон 0.2Вт 2.4В Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 2.4 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.4V
pe541922
по 3145 шт
В корзину
BZT52B13S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 13V V(Z), 2.15%, 0.2W, Silicon pe542020 фото
1 р
BZT52B13S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 13V V(Z), 2.15%, 0.2W, Silicon
pe542020
по 5814 шт
В корзину
BZT52C9V1S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.2W, Sili pe542034 фото
0 р
BZT52C9V1S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.2W, Sili
pe542034
1.5KE400A Корпус DO201AE, Iимп.макс. 2.7 А, Uраб. 342 В, Uогр.(диап.), min 380 В, Uогр.(диап.), max 420 В, 342V V(RWM), Iут.при Uраб. 5 мкА, Рпик=1.5 кВт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном. pe935068 фото
19 р
1.5KE400A Корпус DO201AE, Iимп.макс. 2.7 А, Uраб. 342 В, Uогр.(диап.), min 380 В, Uогр.(диап.), max 420 В, 342V V(RWM), Iут.при Uраб. 5 мкА, Рпик=1.5 кВт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.
pe935068
по 269 шт
В корзину
SMAJ85A Корпус DO214AC, Iимп.макс. 2.92 А, Uраб. 85 В, Uогр.(диап.), min 94.4 В, Uогр.(диап.), max 104 В, 400W, 85V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленны pe935079 фото
3 р
SMAJ85A Корпус DO214AC, Iимп.макс. 2.92 А, Uраб. 85 В, Uогр.(диап.), min 94.4 В, Uогр.(диап.), max 104 В, 400W, 85V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленны
pe935079
по 1737 шт
BZT52C2V7SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом YangJie pe935987 фото
0 р
BZT52C2V7SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом YangJie
pe935987
BZT52B22S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 22 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 22V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, U pe1011783 фото
0 р
BZT52B22S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 22 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 22V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, U
pe1011783
YJD15N10A Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER MV, полевой, 100В, 10,5А, TO252 YangJie pe825721 фото
0 р
YJD15N10A Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER MV, полевой, 100В, 10,5А, TO252 YangJie
pe825721
ESD5V0D5BA Корпус SOD523, Iимп.макс. 20 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 5.1 В, Iут.при Uраб. 0.1 мкА, Рпик=240 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Паразитная емкость перехода 35пФ, Uимп.макс.12 В Yan pe935081 фото
0 р
ESD5V0D5BA Корпус SOD523, Iимп.макс. 20 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 5.1 В, Iут.при Uраб. 0.1 мкА, Рпик=240 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Паразитная емкость перехода 35пФ, Uимп.макс.12 В Yan
pe935081
KBU1006 Корпус KBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 10A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C Yan pe936657 фото
36 р
KBU1006 Корпус KBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 10A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C Yan
pe936657
по 143 шт
В корзину
BZT52B15 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 15V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional YangJie pe541886 фото
0 р
BZT52B15 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 15V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional YangJie
pe541886
Наш сайт использует cookies