YangJie

Популярные
SMAJ33A Корпус DO214AC, Iимп.макс. 7.5 А, Uраб. 33 В, Uогр.(диап.), min 36.7 В, Uогр.(диап.), max 40.6 В, 400W, 33V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленны pe935054 фото
9% Хит продаж
4 р
SMAJ33A Корпус DO214AC, Iимп.макс. 7.5 А, Uраб. 33 В, Uогр.(диап.), min 36.7 В, Uогр.(диап.), max 40.6 В, 400W, 33V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленны
pe935054
по 1588 шт
В корзину
YJS4438A Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 8.2 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз pe935409 фото
11 р
YJS4438A Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 8.2 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз
pe935409
по 462 шт
В корзину
YJL2101W Корпус SOT323, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -2 А, Rот.(мин) 100 мОм, Rот.при Uз(ном), min 100 мОм, Rот.при Uз(ном), max 175 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз pe935414 фото
3 р
YJL2101W Корпус SOT323, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -2 А, Rот.(мин) 100 мОм, Rот.при Uз(ном), min 100 мОм, Rот.при Uз(ном), max 175 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз
pe935414
по 1825 шт
В корзину
1N4007G Корпус DO41, Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности General Purpose, Iобр. 2.5 мкА, Емкость перехода 8пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж н pe936509 фото
2 р
1N4007G Корпус DO41, Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности General Purpose, Iобр. 2.5 мкА, Емкость перехода 8пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж н
pe936509
по 3704 шт
В корзину
SS8550-H Биполярный P-N-P - транзистор. Напряжение К-Э -25 В; -1500 мА; 300 мВт; h21: 200…350; fT 100 МГц; корпус SOT-23, Граничная частота 100 МГц YangJie pe541996 фото
2 р
SS8550-H Биполярный P-N-P - транзистор. Напряжение К-Э -25 В; -1500 мА; 300 мВт; h21: 200…350; fT 100 МГц; корпус SOT-23, Граничная частота 100 МГц YangJie
pe541996
по 3938 шт
В корзину
BZT52B30 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 30 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 30V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional YangJie pe542088 фото
2 р
BZT52B30 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 30 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 30V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional YangJie
pe542088
по 2733 шт
BAS516 Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 250 мА, Uпрям. 1.25 В, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT pe542136 фото
2 р
BAS516 Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 250 мА, Uпрям. 1.25 В, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
pe542136
по 4630 шт
В корзину
P6KE39CA Корпус DO204AC, Iимп.макс. 11.1 А, Uраб. 33.3 В, Uогр.(диап.), min 37.1 В, Uогр.(диап.), max 41 В, 600W, 33.3V V(RWM), DO-204AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправлен pe935006 фото
4 р
P6KE39CA Корпус DO204AC, Iимп.макс. 11.1 А, Uраб. 33.3 В, Uогр.(диап.), min 37.1 В, Uогр.(диап.), max 41 В, 600W, 33.3V V(RWM), DO-204AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора двунаправлен
pe935006
по 1374 шт
В корзину
P4SMA8.2CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 33.06 А, Uраб. 7 В, Uогр.(диап.), min 7.79 В, Uогр.(диап.), max 8.61 В, 400W, 7V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 400 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправле pe1026719 фото
3 р
P4SMA8.2CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 33.06 А, Uраб. 7 В, Uогр.(диап.), min 7.79 В, Uогр.(диап.), max 8.61 В, 400W, 7V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 400 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправле
pe1026719
по 1667 шт
В корзину
SMF170A Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 730 мА, Uраб. 170 В, Uогр.(диап.), min 189 В, Uогр.(диап.), max 209 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 199 В, Uимп.м pe935686 фото
2 р
SMF170A Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 730 мА, Uраб. 170 В, Uогр.(диап.), min 189 В, Uогр.(диап.), max 209 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 199 В, Uимп.м
pe935686
по 2591 шт
В корзину
BAS40-06Q Корпус SOT23, Сборка диодная, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 120 мА, Uпрям. 1 В, Особенности Schottky, Iобр. 200 нА, Время восстановления Диодов 5 нс, Емкость перехода 5пФ, Рабочая температ pe935865 фото
0 р
BAS40-06Q Корпус SOT23, Сборка диодная, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 120 мА, Uпрям. 1 В, Особенности Schottky, Iобр. 200 нА, Время восстановления Диодов 5 нс, Емкость перехода 5пФ, Рабочая температ
pe935865
P6KE33A Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 28.2В включение 45.7В ограничение аксиальный YangJie pe226352 фото
3 р
P6KE33A Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 28.2В включение 45.7В ограничение аксиальный YangJie
pe226352
по 1969 шт
В корзину
DB107S Диодный мост 1А 1000В YangJie pe936219 фото
9% Хит продаж
5 р
DB107S Диодный мост 1А 1000В YangJie
pe936219
по 1097 шт
В корзину
SMAJ15CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 16.39 А, Uраб. 15 В, Uогр.(диап.), min 16.7 В, Uогр.(диап.), max 18.5 В, 400W, 15V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленн pe779917 фото
4 р
SMAJ15CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 16.39 А, Uраб. 15 В, Uогр.(диап.), min 16.7 В, Uогр.(диап.), max 18.5 В, 400W, 15V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленн
pe779917
по 1270 шт
В корзину
BC847BW Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления п pe851226 фото
2 р
BC847BW Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления п
pe851226
по 4386 шт
В корзину
MBR10100CDS Корпус TO252, Сборка диодная, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 830 мВ, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 400пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на pe934919 фото
0 р
MBR10100CDS Корпус TO252, Сборка диодная, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 830 мВ, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 400пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на
pe934919
MBR30200FCT Корпус ITO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 30 А, Uпрям. 900 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 600пФ, Рабочая температура -55 °C... pe935202 фото
0 р
MBR30200FCT Корпус ITO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 30 А, Uпрям. 900 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 600пФ, Рабочая температура -55 °C...
pe935202
BZT52C75S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 75 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 255 Ом YangJie pe935295 фото
1 р
BZT52C75S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 75 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 255 Ом YangJie
pe935295
по 5953 шт
В корзину
BZX584C43V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 43 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 150 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 43V V(Z), 6.98%, 0.2W, Silic pe935305 фото
0 р
BZX584C43V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 43 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 150 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 43V V(Z), 6.98%, 0.2W, Silic
pe935305
BZX584B33V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie pe935306 фото
0 р
BZX584B33V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie
pe935306
Наш сайт использует cookies