SS8550-H Биполярный P-N-P - транзистор. Напряжение К-Э -25 В; -1500 мА; 300 мВт; h21: 200…350; fT 100 МГц; корпус SOT-23, Граничная частота 100 МГц YangJie
Изображения служат только для ознакомления
Характеристики
Биполярный P-N-P - транзистор. Напряжение К-Э -25 В; -1500 мА; 300 мВт; h21: 200…350;...
Перейти к описанию
Склад в Екатеринбурге
29097 шт
Биполярный P-N-P - транзистор. Напряжение К-Э -25 В; -1500 мА; 300 мВт; h21: 200…350; fT 100 МГц; корпус SOT-23, Граничная частота 100 МГц
Документация
Технические характеристики SS8550-H Биполярный P-N-P - транзистор. Напряжение К-Э -25 В; -1500 мА; 300 мВт; h21: 200…350; fT 100 МГц; корпус SOT-23, Граничная частота 100 МГц YangJie
Отзывов о товаре еще нет
Оставьте свой отзыв, чтобы помочь
другим покупателям в выборе товара
