YangJie

Популярные
MF400K04F3LG Сборка диодная, Uобр.макс. 400 В, Iпрям. (сред.) 200 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности Module, Common cathode, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 80 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 pe1026707 фото
0 р
MF400K04F3LG Сборка диодная, Uобр.макс. 400 В, Iпрям. (сред.) 200 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности Module, Common cathode, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 80 нс, Рабочая температура -40 °C...+150
pe1026707
D6UB100 YangJie pe934959 фото
14 р
D6UB100 YangJie
pe934959
по 368 шт
D25JA60 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie pe1032417 фото
42 р
D25JA60 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie
pe1032417
по 122 шт
В корзину
D3UB80A Корпус D3K, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 3 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, Package D3K, 3A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+1 pe1032418 фото
15 р
D3UB80A Корпус D3K, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 3 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, Package D3K, 3A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+1
pe1032418
по 337 шт
В корзину
MBR10100FCT YangJie pe936634 фото
0 р
MBR10100FCT YangJie
pe936634
SS210AQ Корпус DO214AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 2 А, Uпрям. 770 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 1 мкА, Емкость перехода 60пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 1 pe1032420 фото
0 р
SS210AQ Корпус DO214AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 2 А, Uпрям. 770 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 1 мкА, Емкость перехода 60пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 1
pe1032420
YJQ20N04A Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 14.3 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз м pe1032422 фото
0 р
YJQ20N04A Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 20 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 14.3 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз м
pe1032422
DTA114EE YangJie pe936127 фото
0 р
DTA114EE YangJie
pe936127
GBU2008 YangJie pe936436 фото
43 р
GBU2008 YangJie
pe936436
по 119 шт
В корзину
MF100C12F1 Сборка диодная, Uобр.макс. 1.2 кВ, Iпрям. (сред.) 100 А, Uпрям. 1.58 В, Особенности Diode module, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 55 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монтаж pe1039403 фото
0 р
MF100C12F1 Сборка диодная, Uобр.макс. 1.2 кВ, Iпрям. (сред.) 100 А, Uпрям. 1.58 В, Особенности Diode module, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 55 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монтаж
pe1039403
MF100C12F2 Сборка диодная, Uобр.макс. 1.2 кВ, Iпрям. (сред.) 100 А, Uпрям. 1.58 В, Особенности Diode module, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 55 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монтаж pe1039404 фото
0 р
MF100C12F2 Сборка диодная, Uобр.макс. 1.2 кВ, Iпрям. (сред.) 100 А, Uпрям. 1.58 В, Особенности Diode module, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 55 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монтаж
pe1039404
MF100C12F2N Сборка диодная, Uобр.макс. 1.2 кВ, Iпрям. (сред.) 100 А, Uпрям. 1.58 В, Особенности Diode module, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 55 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монта pe1039405 фото
0 р
MF100C12F2N Сборка диодная, Uобр.макс. 1.2 кВ, Iпрям. (сред.) 100 А, Uпрям. 1.58 В, Особенности Diode module, Iобр. 1 мА, Время восстановления Диодов 55 нс, Рабочая температура -40 °C...+150 °C, Монта
pe1039405
MMSZ12VCW Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом YangJie pe1039406 фото
0 р
MMSZ12VCW Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом YangJie
pe1039406
SF58G Корпус DO201AD, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 1.7 В, Особенности Super Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 30пФ, Рабочая темпера pe1039408 фото
0 р
SF58G Корпус DO201AD, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 1.7 В, Особенности Super Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 35 нс, Емкость перехода 30пФ, Рабочая темпера
pe1039408
HER308G YangJie pe936703 фото
0 р
HER308G YangJie
pe936703
SMAJ28AQ Iимп.макс. 8.8 А, Uраб. 28 В, Uогр.(диап.), min 31.1 В, Uогр.(диап.), max 34.4 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 32.75 В, Uимп.макс.45.4 В, Р= pe1039409 фото
12 р
SMAJ28AQ Iимп.макс. 8.8 А, Uраб. 28 В, Uогр.(диап.), min 31.1 В, Uогр.(диап.), max 34.4 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 32.75 В, Uимп.макс.45.4 В, Р=
pe1039409
по 421 шт
В корзину
BZT52C4V3 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 4.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 4.3V V(Z), 6.98%, 0.5W, Silic pe934939 фото
0 р
BZT52C4V3 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 4.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 4.3V V(Z), 6.98%, 0.5W, Silic
pe934939
SMBJ6.0CAQ YangJie pe935689 фото
11 р
SMBJ6.0CAQ YangJie
pe935689
по 483 шт
В корзину
ESD2CAN24T2SQ YangJie pe935708 фото
7 р
ESD2CAN24T2SQ YangJie
pe935708
по 735 шт
В корзину
DBL207S YangJie pe936047 фото
0 р
DBL207S YangJie
pe936047
Наш сайт использует cookies