YangJie

Популярные
ESD5V0D5BS1 YangJie pe935744 фото
2 р
ESD5V0D5BS1 YangJie
pe935744
по 3760 шт
В корзину
SMA5932AQ YangJie pe936000 фото
0 р
SMA5932AQ YangJie
pe936000
YJP200G06A Корпус TO220, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 200 А, Rот.(мин) 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 2.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. pe934990 фото
0 р
YJP200G06A Корпус TO220, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 200 А, Rот.(мин) 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 2.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап.
pe934990
MBR1545CT Корпус TO220, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 45 В, Iпрям. (сред.) 15 А, Uпрям. 650 мВ, Особенности Schottky, Common cathode, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Мон pe935246 фото
0 р
MBR1545CT Корпус TO220, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 45 В, Iпрям. (сред.) 15 А, Uпрям. 650 мВ, Особенности Schottky, Common cathode, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Мон
pe935246
SMA2Z30AQ YangJie pe936001 фото
0 р
SMA2Z30AQ YangJie
pe936001
SSL54B Корпус DO214AA, Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 450 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 500 мкА, Емкость перехода 320пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на пл pe935251 фото
0 р
SSL54B Корпус DO214AA, Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 450 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 500 мкА, Емкость перехода 320пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на пл
pe935251
RB521S-30 YangJie pe936258 фото
2 р
RB521S-30 YangJie
pe936258
по 3788 шт
В корзину
GS3MBQ Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 1.15 В, Особенности General Purpose, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 25пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату YangJi pe935258 фото
0 р
GS3MBQ Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 1.15 В, Особенности General Purpose, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 25пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату YangJi
pe935258
GS5MQ Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности General Purpose, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 55пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату YangJie pe935260 фото
0 р
GS5MQ Диод одиночный, Uобр.макс. 1 кВ, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 1.1 В, Особенности General Purpose, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 55пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату YangJie
pe935260
MT40CB16T1 YangJie pe935493 фото
2 168 р
MT40CB16T1 YangJie
pe935493
по 3 шт
В корзину
MT200DT12L2 YangJie pe935495 фото
4 435 р
MT200DT12L2 YangJie
pe935495
по 2 шт
В корзину
BZX84C15Q Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie pe935284 фото
0 р
BZX84C15Q Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie
pe935284
HER104 Корпус DO41, Диод одиночный, Uобр.макс. 300 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1 В, Время восстановления Диодов 50 нс, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, THT Ya pe935034 фото
0 р
HER104 Корпус DO41, Диод одиночный, Uобр.макс. 300 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 1 В, Время восстановления Диодов 50 нс, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, THT Ya
pe935034
MG150HF12MIC2 YangJie pe935500 фото
0 р
MG150HF12MIC2 YangJie
pe935500
MG200HF12MIC2 YangJie pe935502 фото
0 р
MG200HF12MIC2 YangJie
pe935502
YJD18GP10AQ Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -100 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 83 мОм, Rот.при Uз(ном), min 83 мОм, Rот.при Uз(ном), max 95 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, pe935042 фото
0 р
YJD18GP10AQ Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -100 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 83 мОм, Rот.при Uз(ном), min 83 мОм, Rот.при Uз(ном), max 95 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В,
pe935042
MF100A06F1 YangJie pe935759 фото
0 р
MF100A06F1 YangJie
pe935759
GBP410 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie pe935047 фото
17 р
GBP410 Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C YangJie
pe935047
по 312 шт
В корзину
P6SMB30AQ Iимп.макс. 14.5 А, Uраб. 25.6 В, Uогр.(диап.), min 28.5 В, Uогр.(диап.), max 31.5 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 30 В, Uимп.макс.41.4 В, Р pe935058 фото
12 р
P6SMB30AQ Iимп.макс. 14.5 А, Uраб. 25.6 В, Uогр.(диап.), min 28.5 В, Uогр.(диап.), max 31.5 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 30 В, Uимп.макс.41.4 В, Р
pe935058
по 429 шт
В корзину
SMDJ22CAQ Iимп.макс. 84.51 А, Uраб. 22 В, Uогр.(диап.), min 24.4 В, Uогр.(диап.), max 26.9 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=3 кВт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 25.65 В, Uимп.макс.35.5 В, Р pe935060 фото
56 р
SMDJ22CAQ Iимп.макс. 84.51 А, Uраб. 22 В, Uогр.(диап.), min 24.4 В, Uогр.(диап.), max 26.9 В, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=3 кВт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 25.65 В, Uимп.макс.35.5 В, Р
pe935060
по 90 шт
В корзину
Наш сайт использует cookies