BZT52C12 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.5W, Silicon,

YangJie

Оставить отзыв В избранное Сравнить

Артикул pe851217 30.09.2026

BZT52C12 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.5W, Silicon, pe851217 фото

Изображения служат только для ознакомления

Характеристики

Бренд:YangJie

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА,...

Перейти к описанию

≈ 11 дней

2 р

Мин. кол-во для заказа: 3817 шт

Добавить в корзину

Склад в Екатеринбурге

154922 шт

Описание и характеристики Отзывы (0)

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

Документация

PDF Документация и Datasheet

Технические характеристики BZT52C12 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.5W, Silicon,

Бренд

YangJie

Отзывов о товаре еще нет

Оставьте свой отзыв, чтобы помочь другим покупателям в выборе товара

BZT52C12 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.5W, Silicon, pe851217

2 р