BTS3410G N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190 m? INF
Характеристики
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190 m?
Перейти к описанию
Купить со скидкой до 25%
Склад в Екатеринбурге
2763 шт
Распределительный центр
12558 шт
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190 m?
Документация
Технические характеристики BTS3410G N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190 m? INF
Отзывов о товаре еще нет
Оставьте свой отзыв, чтобы помочь
другим покупателям в выборе товара
