BZT52C2V7 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.5W, Sili

YangJie

Оставить отзыв В избранное Сравнить

Артикул pe934942 05.10.2026

BZT52C2V7 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.5W, Sili pe934942 фото

Изображения служат только для ознакомления

Характеристики

Бренд:YangJie

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА,...

Перейти к описанию

≈ 11 дней

1 р

Мин. кол-во для заказа: 6945 шт

Добавить в корзину

Склад в Екатеринбурге

17458 шт

Описание и характеристики Отзывы (0)

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

Документация

PDF Документация и Datasheet

Технические характеристики BZT52C2V7 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.5W, Sili

Бренд

YangJie

Отзывов о товаре еще нет

Оставьте свой отзыв, чтобы помочь другим покупателям в выборе товара

BZT52C2V7 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.5W, Sili pe934942

1 р