BZT52C4V7S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 0.2W, Sili

YangJie

Оставить отзыв В избранное Сравнить

Артикул pe542032 28.09.2026

BZT52C4V7S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 0.2W, Sili pe542032 фото

Изображения служат только для ознакомления

Характеристики

Бренд:YangJie

Описание Eng:Zener Diode 4.7V 200mW Surface Mount SOD-323

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА,...

Перейти к описанию

≈ 11 дней

1 р

Мин. кол-во для заказа: 6579 шт

Добавить в корзину

Склад в Екатеринбурге

275331 шт

Описание и характеристики Отзывы (0)

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

Документация

PDF Документация и Datasheet

Технические характеристики BZT52C4V7S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 0.2W, Sili

Бренд

YangJie

Описание Eng

Zener Diode 4.7V 200mW Surface Mount SOD-323

Отзывов о товаре еще нет

Оставьте свой отзыв, чтобы помочь другим покупателям в выборе товара

BZT52C4V7S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 0.2W, Sili pe542032

1 р