GBU2510 Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C Yan
Характеристики
Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн)...
Перейти к описанию
Распределительный центр
2979 шт
Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Документация
Технические характеристики GBU2510 Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 1000V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C Yan
Отзывов о товаре еще нет
Оставьте свой отзыв, чтобы помочь
другим покупателям в выборе товара