Характеристики
N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 100V/380A, Rds(on)=1.2 mΩ(typ.)@VGS = 10V
Перейти к описанию
Купить со скидкой до 25%
Склад в Екатеринбурге
1934 шт
Распределительный центр
252000 шт
N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 100V/380A, Rds(on)=1.2 mΩ(typ.)@VGS = 10V
Документация
Технические характеристики HYG015N10NS1TA N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 100V/380A, Rds(on)=1.2 mΩ(typ.)@VGS = 10V HUAYI
Отзывов о товаре еще нет
Оставьте свой отзыв, чтобы помочь
другим покупателям в выборе товара
