YJD45G10B Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 13

Артикул pe935040 15.10.2026

Изображения служат только для ознакомления

Характеристики

Бренд:YangJie

Описание Eng:100V 45A 14m-@10V,20A 72W 2.8V@250uA 18pF@50V N Channel 1.135nF@50V 16nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252 MOSFETs ROHS

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин)...

Перейти к описанию

Нет в наличии

0 р

Описание и характеристики Отзывы (0)

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 135пФ

Документация

PDF Документация и Datasheet

Технические характеристики YJD45G10B Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 13

Бренд

YangJie

Описание Eng

100V 45A 14m-@10V,20A 72W 2.8V@250uA 18pF@50V N Channel 1.135nF@50V 16nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252 MOSFETs ROHS

Отзывов о товаре еще нет

Оставьте свой отзыв, чтобы помочь другим покупателям в выборе товара

YJD45G10B Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 45 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 13 pe935040

0 р