YJG130G04A Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 130 А, Rот.(мин) 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), max 1.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В,
Изображения служат только для ознакомления
Характеристики
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 130 А, Rот.(мин) 1.45 мОм,...
Перейти к описанию
Нет в наличии
0 р
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 130 А, Rот.(мин) 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), max 1.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 132 нКл, Р=115 Вт, 0.003ohm, Сз=7 100пФ
Документация
Технические характеристики YJG130G04A Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 130 А, Rот.(мин) 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), max 1.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В,
Отзывов о товаре еще нет
Оставьте свой отзыв, чтобы помочь
другим покупателям в выборе товара
