YJQ10N02A Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап.

Артикул pe935404 15.10.2026

Изображения служат только для ознакомления

Характеристики

Бренд:YangJie

Описание Eng:20V 13A 7.8m-@4.5V,13A 2.2W 620mV@250uA 117pF@10V N Channel 888pF@10V 11.05nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) DFN2020-6L MOSFETs ROHS

Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин)...

Перейти к описанию

Нет в наличии

0 р

Описание и характеристики Отзывы (0)

Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=888пФ

Документация

PDF Документация и Datasheet

Технические характеристики YJQ10N02A Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап.

Бренд

YangJie

Описание Eng

20V 13A 7.8m-@4.5V,13A 2.2W 620mV@250uA 117pF@10V N Channel 888pF@10V 11.05nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) DFN2020-6L MOSFETs ROHS

Отзывов о товаре еще нет

Оставьте свой отзыв, чтобы помочь другим покупателям в выборе товара

YJQ10N02A Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. pe935404

0 р