YangJie

Популярные
MBRL20200CT Корпус TO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 880 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, pe1010787 фото
0 р
MBRL20200CT Корпус TO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 880 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату,
pe1010787
MURB1660CT Корпус TO263, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 16 А, Uпрям. 1.45 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 25 нс, Емкость перехода 40п pe1010816 фото
0 р
MURB1660CT Корпус TO263, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 16 А, Uпрям. 1.45 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 25 нс, Емкость перехода 40п
pe1010816
YJG105N03A Корпус PDFN568, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 105 А, Rот.(мин) 2.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.45 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В pe1011841 фото
12 р
YJG105N03A Корпус PDFN568, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 105 А, Rот.(мин) 2.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.45 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В
pe1011841
по 422 шт
В корзину
SMAJ40CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 6.2 А, Uраб. 40 В, Uогр.(диап.), min 44.4 В, Uогр.(диап.), max 49.1 В, 400W, 40V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный pe1010849 фото
3 р
SMAJ40CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 6.2 А, Uраб. 40 В, Uогр.(диап.), min 44.4 В, Uогр.(диап.), max 49.1 В, 400W, 40V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный
pe1010849
по 1690 шт
В корзину
BZX584B3V6 Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 3.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом YangJie pe1026650 фото
0 р
BZX584B3V6 Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 3.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом YangJie
pe1026650
BZX584C3V6 Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 3.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.6V V(Z), 5.56%, 0.2W, Sili pe1039402 фото
0 р
BZX584C3V6 Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 3.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.6V V(Z), 5.56%, 0.2W, Sili
pe1039402
BAS716 Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 75 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Iобр. 5 нА, Время восстановления Диодов 3 мкс, Рабочая температура 150 °C, Монтаж на плату, SMT YangJie pe541870 фото
2 р
BAS716 Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 75 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Iобр. 5 нА, Время восстановления Диодов 3 мкс, Рабочая температура 150 °C, Монтаж на плату, SMT YangJie
pe541870
по 4855 шт
В корзину
BAV23C Корпус SOT23, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 250 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1 В, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 50 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на pe541874 фото
9% Хит продаж
2 р
BAV23C Корпус SOT23, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 250 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1 В, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 50 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на
pe541874
по 3087 шт
BZX584B15V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie pe541915 фото
1 р
BZX584B15V Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом YangJie
pe541915
по 5377 шт
В корзину
BZX584B4V7 Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie pe541917 фото
2 р
BZX584B4V7 Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie
pe541917
по 4386 шт
В корзину
BZT52C6V8S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 6.8 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.88%, 0.2W, Sili pe542124 фото
1 р
BZT52C6V8S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 6.8 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.88%, 0.2W, Sili
pe542124
по 5883 шт
В корзину
SMAJ45A Корпус DO214AC, Iимп.макс. 5.5 А, Uраб. 45 В, Uогр.(диап.), min 50 В, Uогр.(диап.), max 55.3 В, 400W, 45V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленный, pe1010850 фото
4 р
SMAJ45A Корпус DO214AC, Iимп.макс. 5.5 А, Uраб. 45 В, Uогр.(диап.), min 50 В, Uогр.(диап.), max 55.3 В, 400W, 45V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора однонаправленный,
pe1010850
по 1525 шт
В корзину
BZT52B4V3SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом YangJie pe935976 фото
0 р
BZT52B4V3SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом YangJie
pe935976
DTC143ZE Корпус SOT523, Транзистор биполярный NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное pe934892 фото
0 р
DTC143ZE Корпус SOT523, Транзистор биполярный NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное
pe934892
DTA144ECA Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -50 В, Ток коллектора -0.03 А, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базов pe934897 фото
0 р
DTA144ECA Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -50 В, Ток коллектора -0.03 А, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базов
pe934897
SMF5.0CA Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 21.74 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 6.4 В, Uогр.(диап.), max 7.07 В, Iут.при Uраб. 800 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 6.735 В, Uи pe1010873 фото
3 р
SMF5.0CA Корпус SOD123FL, Iимп.макс. 21.74 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 6.4 В, Uогр.(диап.), max 7.07 В, Iут.при Uраб. 800 мкА, Рпик=200 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 6.735 В, Uи
pe1010873
по 1873 шт
В корзину
BZT52B12SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом YangJie pe935982 фото
0 р
BZT52B12SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом YangJie
pe935982
MB400K006F4N YangJie pe936168 фото
0 р
MB400K006F4N YangJie
pe936168
RS1M Диод выпрямительный общего применения 1000В 1А YangJie pe230362 фото
2 р
RS1M Диод выпрямительный общего применения 1000В 1А YangJie
pe230362
по 4099 шт
В корзину
ESDSLC5V0E Корпус SOT23, Iимп.макс. 3.5 А, Uраб. 5 В, 2 линии ограничения, Uогр.(диап.), min 7 В, Uогр.(диап.), max 9 В, Iут.при Uраб. 0.1 мкА, Рпик=42 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном. pe804534 фото
6 р
ESDSLC5V0E Корпус SOT23, Iимп.макс. 3.5 А, Uраб. 5 В, 2 линии ограничения, Uогр.(диап.), min 7 В, Uогр.(диап.), max 9 В, Iут.при Uраб. 0.1 мкА, Рпик=42 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.
pe804534
по 987 шт
В корзину
Наш сайт использует cookies