YangJie

Популярные
BZT52B24 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 2.04%, 0.5W, Silicon, Unidirectional YangJie pe542121 фото
1 р
BZT52B24 Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 2.04%, 0.5W, Silicon, Unidirectional YangJie
pe542121
по 6667 шт
В корзину
BZT52C10S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 10 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 20 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 10V V(Z), 6%, 0.2W, Silicon, U pe542138 фото
0 р
BZT52C10S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 10 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 20 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 10V V(Z), 6%, 0.2W, Silicon, U
pe542138
SMBJ150A Корпус DO214AA, Iимп.макс. 2.47 А, Uраб. 150 В, Uогр.(диап.), min 167 В, Uогр.(диап.), max 185 В, 150V V(RWM), Unidirectional, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однонаправленн pe935088 фото
5 р
SMBJ150A Корпус DO214AA, Iимп.макс. 2.47 А, Uраб. 150 В, Uогр.(диап.), min 167 В, Uогр.(диап.), max 185 В, 150V V(RWM), Unidirectional, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=600 Вт, Тип супрессора однонаправленн
pe935088
по 1132 шт
В корзину
SMAJ85CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 2.92 А, Uраб. 85 В, Uогр.(диап.), min 94.4 В, Uогр.(диап.), max 104 В, 400W, 85V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный pe935089 фото
4 р
SMAJ85CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 2.92 А, Uраб. 85 В, Uогр.(диап.), min 94.4 В, Uогр.(диап.), max 104 В, 400W, 85V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленный
pe935089
по 1341 шт
В корзину
SMAJ20CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 12.35 А, Uраб. 20 В, Uогр.(диап.), min 22.2 В, Uогр.(диап.), max 24.5 В, 400W, 20V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленн pe1011827 фото
3 р
SMAJ20CA Корпус DO214AC, Iимп.макс. 12.35 А, Uраб. 20 В, Uогр.(диап.), min 22.2 В, Uогр.(диап.), max 24.5 В, 400W, 20V V(RWM), DO-214AC, Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=400 Вт, Тип супрессора двунаправленн
pe1011827
по 1938 шт
В корзину
BZX84B6V8Q Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 6.8 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом YangJie pe935968 фото
0 р
BZX84B6V8Q Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 6.8 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом YangJie
pe935968
BZX84B27Q Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 27 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie pe936009 фото
0 р
BZX84B27Q Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 27 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом YangJie
pe936009
DTA114YE Корпус SOT523, Транзистор биполярный PNP, Р=150 мВт, Uкэ.макс. -50 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базово pe936124 фото
0 р
DTA114YE Корпус SOT523, Транзистор биполярный PNP, Р=150 мВт, Uкэ.макс. -50 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базово
pe936124
BZT52B5V1SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 5.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 60 Ом YangJie pe936255 фото
0 р
BZT52B5V1SQ Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 5.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 60 Ом YangJie
pe936255
MT110C16T1 YangJie pe829918 фото
2 672 р
MT110C16T1 YangJie
pe829918
по 2 шт
В корзину
MT200C18T2 YangJie pe842215 фото
5 356 р
MT200C18T2 YangJie
pe842215
В корзину
YJL02N10A Транзистор N-MOSFET 100В 2А 1.2Вт [SOT-23-3.] YangJie pe935387 фото
4 р
YJL02N10A Транзистор N-MOSFET 100В 2А 1.2Вт [SOT-23-3.] YangJie
pe935387
по 1437 шт
В корзину
ESD24VD5 Корпус SOD523, Iимп.макс. 7 А, Uраб. 24 В, Uогр.(диап.), min 25 В, Uогр.(диап.), max 32 В, Iут.при Uраб. 0.5 мкА, Рпик=300 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 28.5 В, Паразитная pe935742 фото
2 р
ESD24VD5 Корпус SOD523, Iимп.макс. 7 А, Uраб. 24 В, Uогр.(диап.), min 25 В, Uогр.(диап.), max 32 В, Iут.при Uраб. 0.5 мкА, Рпик=300 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) 28.5 В, Паразитная
pe935742
по 2825 шт
В корзину
2N7002KCDW Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. pe934996 фото
1 р
2N7002KCDW Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап.
pe934996
по 5320 шт
В корзину
BZX84C2V7 Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.35W, Sili pe935296 фото
2 р
BZX84C2V7 Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.35W, Sili
pe935296
по 4855 шт
В корзину
BZT52B33S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 33V V(Z), 2.06%, 0.2W, Silicon pe935303 фото
2 р
BZT52B33S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 33V V(Z), 2.06%, 0.2W, Silicon
pe935303
по 4274 шт
В корзину
ESD12VD5 Корпус SOD523, Iимп.макс. 9.6 А, Uраб. 12 В, Uогр.(диап.), min 13.5 В, Uогр.(диап.), max 16.5 В, 250W, 12V V(RWM), Iут.при Uраб. 0.5 мкА, Рпик=250 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр. pe935116 фото
2 р
ESD12VD5 Корпус SOD523, Iимп.макс. 9.6 А, Uраб. 12 В, Uогр.(диап.), min 13.5 В, Uогр.(диап.), max 16.5 В, 250W, 12V V(RWM), Iут.при Uраб. 0.5 мкА, Рпик=250 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.
pe935116
по 2591 шт
В корзину
ESD5V0D5 Корпус SOD523, Iимп.макс. 13 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 6.2 В, Uогр.(диап.), max 7.5 В, 221W, 5V V(RWM), Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=221 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.) pe934896 фото
2 р
ESD5V0D5 Корпус SOD523, Iимп.макс. 13 А, Uраб. 5 В, Uогр.(диап.), min 6.2 В, Uогр.(диап.), max 7.5 В, 221W, 5V V(RWM), Iут.при Uраб. 1 мкА, Рпик=221 Вт, Тип супрессора однонаправленный, Uогр.(ном.)
pe934896
по 2841 шт
В корзину
BC847C Биполярный N-P-N - транзистор. Напряжение К-Э 45 В; 100 мА; 200 мВт; h21: 420…800; fT 100 МГц; корпус SOT-23, Граничная частота 100 МГц YangJie pe935423 фото
2 р
BC847C Биполярный N-P-N - транзистор. Напряжение К-Э 45 В; 100 мА; 200 мВт; h21: 420…800; fT 100 МГц; корпус SOT-23, Граничная частота 100 МГц YangJie
pe935423
по 2618 шт
В корзину
MBR20100FCT Корпус ITO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 800 мВ, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 400пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 1 pe936731 фото
0 р
MBR20100FCT Корпус ITO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 800 мВ, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 400пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 1
pe936731
Наш сайт использует cookies