BZT52B33S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 33V V(Z), 2.06%, 0.2W, Silicon

YangJie

Оставить отзыв В избранное Сравнить

Артикул pe935303 15.10.2026

BZT52B33S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 33V V(Z), 2.06%, 0.2W, Silicon pe935303 фото

Изображения служат только для ознакомления

Характеристики

Бренд:YangJie

Описание Eng:100nA@25V 200mW 33V SOD-323 Zener Diodes ROHS

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА,...

Перейти к описанию

≈ 12 дней

2 р

Мин. кол-во для заказа: 4274 шт

Добавить в корзину

Склад в Екатеринбурге

15365 шт

Описание и характеристики Отзывы (0)

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 33V V(Z), 2.06%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

Документация

PDF Документация и Datasheet

Технические характеристики BZT52B33S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 33V V(Z), 2.06%, 0.2W, Silicon

Бренд

YangJie

Описание Eng

100nA@25V 200mW 33V SOD-323 Zener Diodes ROHS

Отзывов о товаре еще нет

Оставьте свой отзыв, чтобы помочь другим покупателям в выборе товара

BZT52B33S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 33V V(Z), 2.06%, 0.2W, Silicon pe935303

2 р