GBU1006 Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+
Характеристики
Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн)...
Перейти к описанию
Распределительный центр
4760 шт
Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Документация
Технические характеристики GBU1006 Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+
Отзывов о товаре еще нет
Оставьте свой отзыв, чтобы помочь
другим покупателям в выборе товара