BZT52B9V1S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 10 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.98%, 0.2W, Sili

YangJie

Оставить отзыв В избранное Сравнить

Артикул pe935957 09.10.2026

BZT52B9V1S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 10 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.98%, 0.2W, Sili pe935957 фото

Изображения служат только для ознакомления

Характеристики

Бренд:YangJie

Описание Eng:Zener Diode 8.92V~9.28V 200mW Surface Mount SOD-323

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА,...

Перейти к описанию

≈ 12 дней

2 р

Мин. кол-во для заказа: 5883 шт

Добавить в корзину

Склад в Екатеринбурге

11226 шт

Описание и характеристики Отзывы (0)

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 10 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.98%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

Документация

PDF Документация и Datasheet

Технические характеристики BZT52B9V1S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 10 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.98%, 0.2W, Sili

Бренд

YangJie

Описание Eng

Zener Diode 8.92V~9.28V 200mW Surface Mount SOD-323

Отзывов о товаре еще нет

Оставьте свой отзыв, чтобы помочь другим покупателям в выборе товара

BZT52B9V1S Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 10 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.98%, 0.2W, Sili pe935957

2 р