DTC143ECA Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное

YangJie

Оставить отзыв В избранное Сравнить

Артикул pe536344 09.10.2026

DTC143ECA Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное pe536344 фото

Изображения служат только для ознакомления

Характеристики

Бренд:YangJie

Описание Eng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased Transistor 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-23

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора...

Перейти к описанию

≈ 12 дней

3 р

Мин. кол-во для заказа: 2995 шт

Добавить в корзину

Склад в Екатеринбурге

100467 шт

Описание и характеристики Отзывы (0)

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 4.7 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Документация

PDF Документация и Datasheet

Технические характеристики DTC143ECA Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное

Бренд

YangJie

Описание Eng

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased Transistor 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-23

Отзывов о товаре еще нет

Оставьте свой отзыв, чтобы помочь другим покупателям в выборе товара

DTC143ECA Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное pe536344

3 р