FF150R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт INF

INF
Характеристики
Бренд:INF
Описание Eng:IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Перейти к описанию
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Документация

Технические характеристики FF150R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт INF

Бренд
Описание Eng
IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Отзывов о товаре еще нет
Оставьте свой отзыв, чтобы помочь другим покупателям в выборе товара
Похожие и сопутствующие товары
Спецпредложения
Провод ПуГВнг(А) -LS 1х35 с НКЗ 00-00007587 фото
-16% Хит продаж
755 р
00-00007587
склад 605 м.
Unica Studio антрацит рамка 5-ная NU201054 фото
-16% Хит продаж
1 525 р
NU201054
склад 96 шт.
Наш сайт использует cookies